常见半导体器件名称及其缩写

常见半导体器件名称及其缩写晶体管的历史1947 年贝尔实验室发明的第一个半导体放大器件就是三极管 当时直接叫 Transistor(晶体管).三极管叫晶体管, 是因为它用晶体(硅 / 锗单晶)做的, 且靠控制晶体内部载流子实现电流放大 / 开关, 本质就是晶体做的管.后来才出现场效应管、晶闸管等, 晶体管才从专指三极管变成大类统称.早期的电子器件都叫管, 例如:电子管(真空管)二极管三极管所以晶体材料制作的, 能控流/放大的管都叫晶体管.半导体器件分类无源器件电阻电容电感二极管(整流、稳压、发光), 不算晶体管.有源器件(能放大、开关、控制)(晶体管大类)双极型晶体管BJT(NPN、PNP)场效应管JFETMOSFET(NMOS、PMOS)晶闸管SCR、TRIACIGBT常见半导体器件名称及其缩写二极管 → Diode → D整流二极管 Rectifier Diode快恢复二极管 Fast Recovery Diode(FRD)超快恢复二极管 Ultra-Fast Recovery Diode(UFRD)肖特基二极管 Schottky Barrier Diode(SBD)稳压二极管 Zener Diode瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppressor (TVS)双向触发二极管 Diode for Alternating Current (DIAC)三极管 / BJT(双极型功率管)NPN 功率三极管NPN Bipolar Junction TransistorNPN BJTPNP 功率三极管PNP Bipolar Junction TransistorPNP BJT场效应管(FET/MOSFET)金属氧化物半导体场效应管 → Metal-Oxide-Semiconductor FET → MOSFET结型场效应管 Junction FET (JFET)功率 MOS 场效应管 Metal-Oxide-Semiconductor FET (MOSFET)N 沟道 MOSFETN-Channel MOSFETNMOSP 沟道 MOSFETP-Channel MOSFETPMOS晶闸管类(可控硅 SCR 家族)单向晶闸管(可控硅) Silicon Controlled Rectifier (SCR)双向晶闸管 Triode for Alternating Current (TRIAC)门极关断晶闸管 Gate Turn-Off Thyristor (GTO)集成门极换流晶闸管 Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT)复合型功率器件绝缘栅双极型晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)注入增强栅晶体管 Injection Enhanced Gate Transistor (IEGT)碳化硅 MOSFET Silicon Carbide MOSFET (SiC MOSFET)氮化镓高电子迁移率晶体管 Gallium Nitride HEMT (GaN HEMT)光电器件发光二极管 → Light Emitting Diode → LED光电二极管 → Photodiode → PD光电三极管 → Phototransistor → PT光耦 → Optocoupler → OC / Opto集成电路类集成电路 → Integrated Circuit → IC运算放大器 → Operational Amplifier → OP-AMP / OPAMP比较器 → Comparator → COMP存储/逻辑(常见)只读存储器 → Read Only Memory → ROM随机存储器 → Random Access Memory → RAM闪存 → Flash Memory → Flash